国家/地区 中国（234） 美国（158） 韩国（125） 世界知识产权组织（68） 日本（49） 欧洲专利局（EPO）（41） 台湾（15） 德国（7） 印度（7） 加拿大（3） 俄罗斯（3） 新加坡（3） 澳大利亚（2） 香港（2）
IPC部 H（461） C（163） B（78）
G（44） F（9） A（3）
D（3）
IPC大类 H01（461） C01（120） B82（46）
C23（24） G01（24） H05（22）
C08（17） B32（16） B01（14）
C09（12） C22（9） G02（9）
B05（6） F21（6） C30（5）
IPC小类 H01L（461）
IPC H01L029/16（103） C01B031/04（92） H01L021/02（62）
H01L029/786（41） H01L031/0224（39） H01L031/18（39）
H01L029/66（38） H01L051/00（33） H01L023/532（32）
H01L021/768（30） B82Y040/00（29） H01L021/28（29）
H01L031/028（28） H01L029/06（27） B82Y030/00（25）
发明人 LEE Y T（26） SAKAI T（15） WEI X（15）
WANG X（13） YANG J（13） LI X（12）
LIU X（12） LI J（11） YAMAZAKI Y（11）
LEE J（10） LI L（10） PARK S（10）
WEI Z（10） WU Z（10） ZHANG Y（10）
公开年 2016（199） 2015（188） 2017（73）
申请年 2015（461）
专利权人 LEE Y T（26） TOSHIBA KK（20） SAMSUNG ELEC.（19） INT BUSINESS.（13）
CHENGDU GELA.（10） UNIV SUNGKYU.（10） BOE TECHNOLO.（9） SHANGHAI INS.（9）
UNIV ZHEJIAN.（9） CHINESE ACAD.（8） UNIV XIAN JI.（8） AVIC BEIJING.（7）
NOKIA TECHNO.（6） UNIV FUDAN（6） FUJITSU LTD（5） INST MICROEL.（5）
LG CHEM LTD（5） SHENZHEN CHI.（5） TAIWAN SEMIC.（5） UNIV SHANGHA.（5）

Infrared detector for use in integral part of optical circuits and components for sensing radiation, has cavity in amorphous silicon or vanadium oxide layer to create gap between bundled graphene layer or carbon nanotube fabric.

EGERTON E J, SOOD A K

Multi-functional planar device for use as e.g. electromagnetic filter of digital communication system, has periodic hole arrangement provided with disk of concentric graphene and connected with bridges.

DMITRIEV V, MONTE DO NASCIMENTO C

Manufacture of LED light bulb with graphene filament involves coating graphene-based heat dissipation ink on back side of printed circuit board, cutting coated circuit board to form graphene filaments, fixing filaments into bulb.

LAI C

Graphene heat dissipating structure of heat spreaders and heat sinks for power device, has subset of particles and non-oxide substrate material attached through diazonium molecules in subset of particles.

WASHBURN C M, LAMBERT T N, WHEELER D R, RODENBECK C T, RAILKAR T A

Preparing directly layer of controllable graphene on insulating substrate comprises forming insulating substrate on first metal layer, injecting carbon ions, forming second metal layer on surface of first metal layer and annealing.

DI Z, WANG Z, WANG G, ZHENG X, DAI J, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Forming method of semiconductor device, involves covering top surface of semiconductor layer by graphene layer.

ZHANG H

Manufacture of graphene oxide film for electric device, involves dispersing graphene oxide in solvent to produce graphene oxide solution, and drying at predetermined temperature to form wrinkles in predetermined direction.

GEUN S J, HO H S, JA S J, JANG K S, SEUNG H H, TIANZI S

Preparation of patterned graphene involves providing insulating substrate, depositing germanium film on insulating substrate, etching desired pattern in germanium film, forming patterned germanium film, and continuously evaporating.

DI Z, WANG Z, DAI J, WANG G, ZHENG X, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Thermoelectric powder useful for producing thermoelectric material of thermoelectric device, comprises core-shell structure containing lead-selenium-based thermoelectric material as core portion, and graphene oxide/reduced graphene oxide.

LEE Y S, KIM J H, LEE S J, PARK C H

Giant magnetoresistive device comprises thin film structure is formed in which non-uniform electric field locally is formed in graphene thin film layer according to predetermined pattern.

HO P B, HYUN L D, JIHOON J